منذ اعتماد ذاكرة عرض النطاق الترددي العالي (HBM) من قبل منظمة JEDEC، المسؤولة عن وضع المواصفات الرسمية للذواكر، شهدنا تطورًا ملحوظًا في هذا المجال. بدأت شركة SK Hynix في تصنيع أول رقاقة HBM في عام 2013. تلتها الأجيال الثانية والثالثة HBM2 وHBM3.
واليوم، تعلن شركة سامسونج الكورية العملاقة عن الجيل الرابع من ذاكرة HBM، HBM4. هذا الإعلان جاء من خلال التصريحات التي أدلى بها سانغ جون هوانغ، نائب الرئيس التنفيذي ورئيس فريق منتجات DRAM في سامسونج.
تأتي HBM4 لرفع مستوى الأداء إلى مراحل جديدة، وسيتم تزويد عملاء سامسونج بذاكرة HBM3E قريبًا، والتي تتميز بمعدل نقل بيانات يبلغ 9.8 تيرابايت/الثانية وعرض نطاق ترددي يصل إلى 1.25 تيرابايت/الثانية لكل حزمة. هذا سيكون حاسمًا في خدمة النظام الإيكولوجي للذكاء الاصطناعي والحوسبة العالية الأداء.
تضمن سانغ في تصريحه دمج تقنيات الخصائص الحرارية العالية، بما في ذلك تقنية تجميع الرقائق غير الموصلة (NCF) والترابط النحاسي الهجين (HCB). هذه التقنيات توفر عرض نطاق ترددي أعلى وزيادة في الطاقة وسلامة الإشارة وتحسين إمكانيات التكديس للحزمة الواحدة.
وتشمل المزايا المتوقعة لذاكرة HBM4 واجهة ذاكرة بعرض 2048 بت لكل حزمة بدلاً من 1024 بت كما في HBM3، مما سيزيد من سرعة نقل البيانات إلى 2 تيرابايت/الثانية لكل حزمة.
تقنية NCF هي عبارة عن طبقة بوليمر مصممة لحماية تقنية تجميع الرقائق غير الموصلة (NCF)، والتي تساعد في تقليل الحجم واستهلاك الطاقة. أما تقنية HCB، فتستخدم الموصلات النحاسية وعوازل من طبقات رقيقة بدلاً من اللحام التقليدي، مما يساعد في تضييق الفجوة وزيادة الأداء.
سامسونج تخطط لإطلاق HBM4 في عام 2025، مما سيجلب مزايا هائلة لصناعة الحوسبة العالية الأداء والذكاء الاصطناعي. توقعات تشير إلى بدء إنتاج كميات كبيرة بين عامي 2025 و2026، مما يشكل خطوة مهمة في مجال تقديم الذواكر المتطورة للأنظمة المستقبلية.
تابع موقعنا tech1new.com انضم إلى صفحتنا على فيسبوك و متابعتنا على Twitter ، أو أضف tech1new.com إلى موجز أخبار Google الخاص بك للحصول على تحديثات إخبارية فورية ومراجعات وشروحات تقنية
ليست هناك تعليقات:
إرسال تعليق