أعلنت شركة سامسونج ، أكبر شركة مصنعة لشرائح الذاكرة في العالم ، أنها بدأت الإنتاج الضخم لرقائق DRAM بحجم 14 نانومتر باستخدام تقنية EUV (Extreme Ultraviolet). وقالت الشركة إن تقنية EUV تقلل من استهلاك الطاقة وتحسن الأداء وتقلل من وقت التطوير.
بعد شحنة الشركة لأول DRAM EUV في مارس من العام الماضي ، قامت سامسونج بزيادة عدد طبقات EUV إلى خمس طبقات لتقديم أفضل عمليات DRAM اليوم وأكثرها تقدمًا لحلول DDR5 الخاصة بها.
من خلال تطبيق خمس طبقات EUV على DRAM بحجم 14 نانومتر ، حققت سامسونج أعلى كثافة بتات مع تعزيز إنتاجية الرقاقة الإجمالية بحوالي 20٪. بالإضافة إلى ذلك ، يمكن أن تساعد عملية 14 نانومتر في خفض استهلاك الطاقة بنسبة 20٪ تقريبًا مقارنةً بعقدة DRAM من الجيل السابق.
أطلقت الشركة أول شرائح DDR5 DRAM مع ثماني طبقات من رقائق 16 جيجا بايت ، مما أدى إلى سعة إجمالية تبلغ 512 جيجا بايت. الآن ، بالنسبة لوحدات DDR5 DRAM 14 نانومتر ، ستستخدم الشركة ثماني طبقات من رقائق 24 جيجا بايت.
سيتم استخدام رقائق DRAM المتقدمة هذه لأول مرة في الخوادم السحابية ومراكز البيانات لعمليات الذكاء الاصطناعي والبيانات الضخمة والتعلّم الآلي. مع أفضل عملية تصنيع وأعلى أداء ، تريد سامسونج ترسيخ مكانتها كشركة رائدة في مجال صناعة شرائح الذاكرة العالمية.
ليست هناك تعليقات:
إرسال تعليق